Транзистор IRLR120N

-10%

Код товара: 48306

Цена: По запросу

Нет в наличии

Корпус: DPAK

по этому товару есть предложение:

ПОД ЗАКАЗ 2040 шт.
ЦЕНА 35 руб
от 7 дней, кратно 50 шт

ПОКАЗАТЬ

В магазине "ЭЛИРИТ"
г.Ижевск, ул.Удмуртская, 255в
Нет в наличии

В магазине "ЭЛЬТРОН"
г.Сарапул, ул.Советская, 1
Нет в наличии

Описание

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC

Характеристики

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th): 1.8 V
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время задержки включения / выключения: 35/22 нс
Емкость: 440 пф
Максимальное напряжение сток-исток: 100V
Максимальный ток стока (при Ta=25C): 10A
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 185
Заряд затвора, нКл: 20
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO252-3
Упаковка: REEL, 2000 шт.

С этим товаром смотрят

90руб.

Транзистор IRFH5300

2руб.

Транзистор 2N5401

90руб.

Транзистор 2SC3979 (ПЛАСТ)

439руб.

Транзистор 2SC5858 TOSHIBA

Вся информация носит справочный характер и не является публичной офертой. Технические параметры и изображения даны только для ознакомления.