> > >
Транзистор IRF5210PBF
-7%
Код товара: 48339
150.00руб
На складе в Ижевске: 40 шт.
Дополнительная информация:
P- MOSFET 100V 40A 0.06R 200W
P- MOSFET 100V 40A 0.06R 200W
Корпус: TO220
по этому товару есть предложение:
Этот товар есть в магазине: "ЭЛИРИТ" г.Ижевск, ул.Удмуртская, 255в
Розничная цена: 150 руб.
Этот товар есть в магазине: г.Сарапул, ул.Советская, 1
Розничная цена: 150 руб.
Характеристики
Тип : MOSFET
Тип проводимости : P
Максимальное напряжение сток-исток, В : -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А : -40
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм : 60
Заряд затвора, нКл : 180
Описание : 100V, 40A P-Channel MOSFET
Напряжение : пороговое затвора (Vgs th) - 2В
Диапазон рабочих температур : -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение : затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность : рассеиваемая (Pd) - 200 Вт
Корпус : TO-220
Упаковка : TUBE, 50 шт.
Тип проводимости : P
Максимальное напряжение сток-исток, В : -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А : -40
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм : 60
Заряд затвора, нКл : 180
Описание : 100V, 40A P-Channel MOSFET
Напряжение : пороговое затвора (Vgs th) - 2В
Диапазон рабочих температур : -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение : затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность : рассеиваемая (Pd) - 200 Вт
Корпус : TO-220
Упаковка : TUBE, 50 шт.
С этим товаром смотрят
28руб.
Транзистор 80N06D
35руб.
Транзистор IRF7105
3.2руб.
Транзистор IRLML6401TR
3руб.
Транзистор BC847B 215 1GW
Вся информация носит справочный характер и не является публичной офертой. Технические параметры и изображения даны только для ознакомления.